英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。2017年11月，英诺赛科全球首条8英寸硅基氮化镓产线在珠海通线投产。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，产品涵盖30V-900V功率半导体器件，IC及射频RF器件，产品设计及性能均达到国际先进水平，与国际竞争对手相比，公司的产品线最齐全，是全球唯一同时实现高、低压氮化镓功率器件量产的企业，也是世界上首家引进ASML光刻机进行量产的第三代半导体企业。
截至目前，公司员工超过1500名，其中研发人员超过50%，公司核心技术团队主要来自于台湾台积电、中芯国际、TI、美国EPC和MPS、三星电子、LG、日本松下等国际一流半导体企业，硅基氮化镓研发及产业化经验丰富，具备良好的人才技术基础。公司获得欧洲微电子中心（IMEC）105项氮化镓基础专利技术授权，是国内唯一获得此授权的公司。在此基础上，英诺赛科积极开展自主研发创新，截至2021年12月底，公司共申请国内外发明专利超过600项。
2019年底及2020年3月公司的氮化镓低压及高压芯片分别量产，公司正在与华为、大疆、浪潮、禾赛科技、小米、OPPO、比亚迪、安森美、MPS等国内外厂商开展深入合作，推动氮化镓功率器件全面应用，预计2022年公司在氮化镓芯片的全球市场占有率将超过30%，占据全球第一。基于英诺赛科的技术实力及发展前景，英诺赛科获得了招银国际、SK、宁德时代创始人等众多世界一流投资公司及投资人的青睐，公司已于2022年初顺利完成D轮融资，本轮融资完成后公司估值达206亿元人民币。 英诺赛科凭借自身的科研实力和先进的技术水平，已被国家发改委、工信部、财政部、海关总署认定为线宽小于0.25微米的集成电路生产企业，也是中国第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目。同时，英诺赛科承担了多个工信部、国家科技部等国家部委的重点研发项目，是江苏省独角兽企业，成为我国在第三代半导体行业发展的“国家队”。
